RN1106ACT(TPL3)


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Référence | RN1106ACT(TPL3) |
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Fabricant | Toshiba Semiconductor and Storage |
La description | TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3 |
État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
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- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
Référence | RN1106ACT(TPL3) | Fabricant | Toshiba Semiconductor and Storage |
---|---|---|---|
La description | TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3 | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Quantité disponible | 5721 pcs | Fiche technique | RN110xACT |
Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) | 50V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 250µA, 5mA | Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
Package composant fournisseur | CST3 | Séries | - |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 47 kOhms | Résistance - Base (R1) | 4.7 kOhms |
Puissance - Max | 100mW | Emballage | Original-Reel® |
Package / Boîte | SC-101, SOT-883 | Autres noms | RN1106ACT(TPL3)DKR |
Type de montage | Surface Mount | Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Description détaillée | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 80mA 100mW Surface Mount CST3 |
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V | Courant - Collecteur Cutoff (Max) | 500nA |
Courant - Collecteur (Ic) (max) | 80mA |
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