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RN1106ACT(TPL3)

RN1106ACT(TPL3)
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Référence RN1106ACT(TPL3)
Fabricant Toshiba Semiconductor and Storage
La description TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 5721 pcs
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Référence RN1106ACT(TPL3) Fabricant Toshiba Semiconductor and Storage
La description TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3 État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 5721 pcs Fiche technique RN110xACT
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 250µA, 5mA Transistor Type NPN - Pre-Biased
Package composant fournisseur CST3 Séries -
Résistance - Base de l'émetteur (R2) 47 kOhms Résistance - Base (R1) 4.7 kOhms
Puissance - Max 100mW Emballage Original-Reel®
Package / Boîte SC-101, SOT-883 Autres noms RN1106ACT(TPL3)DKR
Type de montage Surface Mount Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant Description détaillée Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 80mA 100mW Surface Mount CST3
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V Courant - Collecteur Cutoff (Max) 500nA
Courant - Collecteur (Ic) (max) 80mA

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