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TSM80N400CF C0G

TSM80N400CF C0G
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Référence TSM80N400CF C0G
Fabricant TSC (Taiwan Semiconductor)
La description MOSFET N-CH 800V 12A ITO220S
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 46233 pcs
Référence Prix
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Référence TSM80N400CF C0G Fabricant TSC (Taiwan Semiconductor)
La description MOSFET N-CH 800V 12A ITO220S État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 46233 pcs Fiche technique TSM80N400CF
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±30V La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur ITO-220S Séries -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 400 mOhm @ 2.7A, 10V Dissipation de puissance (max) 69W (Tc)
Emballage Tube Package / Boîte TO-220-3 Full Pack
Autres noms TSM80N400CF C0G-ND
TSM80N400CFC0G
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 30 Weeks Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1848pF @ 100V Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 51nC @ 10V
type de FET N-Channel Fonction FET -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V Tension drain-source (Vdss) 800V
Description détaillée N-Channel 800V 12A (Tc) 69W (Tc) Through Hole ITO-220S Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 12A (Tc)

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