MT47H256M8EB-25E IT:C TR
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| Référence | MT47H256M8EB-25E IT:C TR |
|---|---|
| Fabricant | Micron Technology |
| La description | IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | 1000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $7.061 | |||||
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | MT47H256M8EB-25E IT:C TR | Fabricant | Micron Technology |
|---|---|---|---|
| La description | IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 5457 pcs | Fiche technique | MT47Hxx(x)M4/8/16 |
| Catégorie | Circuits intégrés (ci) | Écrire le temps de cycle - Word, Page | 15ns |
| Tension - Alimentation | 1.7 V ~ 1.9 V | La technologie | SDRAM - DDR2 |
| Package composant fournisseur | 60-FBGA (9x11.5) | Séries | - |
| Emballage | Tape & Reel (TR) | Package / Boîte | 60-TFBGA |
| Autres noms | MT47H256M8EB-25E IT:C TR-ND MT47H256M8EB-25EIT:CTR |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 95°C (TC) |
| Type de montage | Surface Mount | Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 3 (168 Hours) |
| Type de mémoire | Volatile | Taille mémoire | 2Gb (256M x 8) |
| Interface mémoire | Parallel | Format de mémoire | DRAM |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Description détaillée | SDRAM - DDR2 Memory IC 2Gb (256M x 8) Parallel 400MHz 400ps 60-FBGA (9x11.5) |
| Fréquence d'horloge | 400MHz | Numéro de pièce de base | MT47H256M8 |
| Temps d'accès | 400ps |
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