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MSM5118165F-60T3K-MT

MSM5118165F-60T3K-MT
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Référence MSM5118165F-60T3K-MT
Fabricant LAPIS Semiconductor
La description IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 7853 pcs
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Référence MSM5118165F-60T3K-MT Fabricant LAPIS Semiconductor
La description IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 7853 pcs Fiche technique
Catégorie Circuits intégrés (ci) Écrire le temps de cycle - Word, Page -
Tension - Alimentation 4.5 V ~ 5.5 V La technologie DRAM
Package composant fournisseur 50-TSOP II Séries -
Emballage Tray Package / Boîte 50-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Autres noms MSM5118165F-60T3-K-7
MSM5118165F-60T3-K-7-ND
MSM5118165F-60T3K
MSM5118165F-60T3K-MT-ND
MSM5118165F60T3KMT
Température de fonctionnement 0°C ~ 70°C (TA)
Type de montage Surface Mount Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 2 (1 Year)
Type de mémoire Volatile Taille mémoire 16Mb (1M x 16)
Interface mémoire Parallel Format de mémoire DRAM
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant Description détaillée DRAM Memory IC 16Mb (1M x 16) Parallel 30ns 50-TSOP II
Numéro de pièce de base MSM5* Temps d'accès 30ns

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