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FJV4114RMTF

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Référence FJV4114RMTF
Fabricant AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 1415678 pcs
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Référence FJV4114RMTF Fabricant AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3 État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 1415678 pcs Fiche technique Molded Pkg, SUPERSOT, 3 Lead Drawing
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA Transistor Type PNP - Pre-Biased
Package composant fournisseur SOT-23-3 (TO-236) Séries -
Résistance - Base de l'émetteur (R2) 47 kOhms Résistance - Base (R1) 4.7 kOhms
Puissance - Max 200mW Emballage Original-Reel®
Package / Boîte TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Autres noms FJV4114RMTFDKR
Type de montage Surface Mount Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 14 Weeks Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition 200MHz Description détaillée Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 68 @ 5mA, 5V Courant - Collecteur Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
Courant - Collecteur (Ic) (max) 100mA Numéro de pièce de base FJV4114

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